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BLA6G1011-200R

更新时间： 2024-11-21 06:42:11

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	183K
描述
Power LDMOS transistor

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BLA6G1011-200R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	49 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	225 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLA6G1011-200R 数据手册

BLA6G1011-200R

Power LDMOS transistor

Rev. 02 — 1 March 2010

Preliminary data sheet

1. Product profile

1.1 General description

200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 °C in a class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L

G_p

η_D

t_r

t_f

(MHz)

(W)

200

(dB)

(%)

(ns)

pulsed class-AB

1030 to 1090

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

Typical pulsed RF performance at frequencies of 1030 MHz and 1090 MHz, a supply

voltage of 28 V and an I_Dqof 100 mA:

Output power = 200 W

Power gain = 20 dB

Efficiency = 65 %

Easy power control

Integrated ESD protection

Enhanced ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

1.3 Applications

Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range.

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