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BLA6G1011L-200RG,1

更新时间： 2024-02-21 19:17:34

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恩智浦 - NXP		/
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BLA6G1011L-200RG

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BLA6G1011L-200RG,1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	4.64	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	49 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLA6G1011L-200RG,1 数据手册

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BLA6G1011-200R;

BLA6G1011L(S)-200RG

Power LDMOS transistor

Rev. 4 — 9 November 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(MHz)

(W)

(dB)

(%)

(ns)

Typical RF performance in a class-AB production test circuit for SOT502A

pulsed RF 1030 to 1090 28 200 20 65

Typical RF performance in a Gullwing application for SOT502C and SOT502D

pulsed RF

1030 to 1090

200

1.2 Features and benefits

 Typical pulsed RF performance at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz, a supply

voltage of 28 V and an I_Dqof 100 mA:

 Output power = 200 W

 Power gain = 20 dB

 Efficiency = 65 %

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Enhanced ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range.

12 3 4 5 6 7...13

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