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BLA6H1011-600

更新时间： 2024-11-18 06:42:11

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管电子航空
页数	文件大小	规格书
13页	132K
描述
LDMOS avionics power transistor

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BLA6H1011-600 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	72 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLA6H1011-600 数据手册

BLA6H1011-600

LDMOS avionics power transistor

Rev. 01 — 22 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the

1030 MHz to 1090 MHz range.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 °C; t_p= 50 μs; δ = 2 %; I_Dq= 100 mA; in a class-AB production

test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L

G_p

η_D

t_r

t_f

(MHz)

(W)

600

(dB)

(%)

(ns)

pulsed RF

1030 to 1090

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

Typical pulsed RF performance at a frequency of 1030 MHz to 1090 MHz, a supply

voltage of 48 V, an I_Dqof 100 mA, a t_pof 50 μs with δ of 2 %:

Output power = 600 W

Power gain = 17 dB

Efficiency = 52 %

Easy power control

Integrated ESD protection

High flexibility with respect to pulse formats

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

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