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BLA8G1011L-300

更新时间： 2024-10-01 20:01:43

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恩智浦 - NXP		/
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RF SMALL SIGNAL, FET

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BLA8G1011L-300 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

BLA8G1011L-300 数据手册

BLA8G1011L(S)-300;

BLA8G1011L(S)-300G

Power LDMOS transistor

Rev. 3 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C in a class-AB production test circuit.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(MHz)

1060

(W)

300

(dB)

16.5

(%)

(ns)

pulsed RF

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Enhanced ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range

12 3 4 5 6 7...14

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