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BLA6H0912LS-1000

更新时间： 2024-01-05 09:06:40

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	180K
描述
RF POWER, FET

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BLA6H0912LS-1000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.64	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	100 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLA6H0912LS-1000 数据手册

BLA6H0912L-1000;

BLA6H0912LS-1000

LDMOS avionics power transistor

Rev. 1 — 4 November 2013

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

1000 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications at

1030 MHz.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C; t_p= 50 s;  = 2 %; I_Dq= 200 mA; in a class-AB production

test circuit.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(MHz)

1030

(W)

1000

(dB)

(%)

(ns)

pulsed RF

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (960 MHz to 1215 MHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 1000 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in

the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range

12 3 4 5 6 7...13

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