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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE, HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 95 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-202 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ268 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFQ268/1 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ268/I | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 400MA I(C) | SOT-172A3 |
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| BFQ270 | NXP |
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NPN 6 GHz wideband transistor |
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| BFQ28 | INFINEON |
获取价格 |
LOW NOISE NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR UP TO 4GHz |
|
| BFQ29 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
|
| BFQ290 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ291 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-172A1 |
|
| BFQ292 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32 |
|
| BFQ293 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, BIP RF Power |
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