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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 19 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | O-CRPM-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ28 | INFINEON |
获取价格 |
LOW NOISE NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR UP TO 4GHz |
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| BFQ29 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ290 | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ291 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-172A1 |
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| BFQ292 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32 |
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| BFQ293 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, BIP RF Power |
|
| BFQ295 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ296 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ29P | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
|
| BFQ31 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
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