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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ292 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32 |
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| BFQ293 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, BIP RF Power |
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| BFQ295 | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ296 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ29P | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ31 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
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| BFQ31 | DIODES |
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暂无描述 |
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| BFQ31A | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
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| BFQ31AR | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
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| BFQ31ARTA | DIODES |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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