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BFQ31

更新时间: 2024-11-17 22:32:03
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KEC 晶体放大器晶体管光电二极管局域网
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1页 129K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER)

BFQ31 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.6
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):600 MHz
Base Number Matches:1

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