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BFQ31A

更新时间： 2024-01-13 06:12:10
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管局域网
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1页 39K
描述
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR

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BFQ31A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.09
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1.7 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

BFQ31A 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
VHF/UHF TRANSISTOR  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
BFQ31A  
PARTMARKING DETAILS  
BFQ31A  
BFQ31AR  
–
–
S4  
S5  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
30  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
15  
V
3
100  
V
Continuous Collector Current  
Base Current  
mA  
mA  
mW  
°C  
IB  
50  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
BFQ31A  
UNIT CONDITIONS.  
MIN.  
30  
MAX.  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
IC=1.0µA, IE=0  
IC=3mA, IB=0*  
IE=10µA, IC=0  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
15  
3
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
0.01  
0.4  
µA  
V
VCB=15V, IE=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=3mA, VCE=1V  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.0  
V
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
600  
Transition  
Frequency  
fT  
MHz  
IC=4mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Noise Figure  
Cobo  
Cibo  
N
1.7  
2.0  
6.0  
pF  
pF  
dB  
VCB=10V, f=1MHz  
VCB=0.5V, f=1MHz  
IC=1mA, VCE=6V  
Rs=400Ω, f=60MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
Spice parameter data is available upon request for this device  
TBA  
1

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