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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.25 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ295 | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ296 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ29P | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ31 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
|
| BFQ31 | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BFQ31A | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
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| BFQ31AR | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
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| BFQ31ARTA | DIODES |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| BFQ31ARTC | DIODES |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| BFQ31ATA | DIODES |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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