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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A | 配置： | Single |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ29 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ290 | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ291 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-172A1 |
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| BFQ292 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32 |
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| BFQ293 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, BIP RF Power |
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| BFQ295 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ296 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BFQ29P | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ31 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
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| BFQ31 | DIODES |
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暂无描述 |
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