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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | BASE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.25 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ291 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-172A1 |
|
| BFQ292 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 190V V(BR)CEO | 250MA I(C) | SOT-32 |
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| BFQ293 | NXP |
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TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, BIP RF Power |
|
| BFQ295 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ296 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFQ29P | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collec |
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| BFQ31 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
|
| BFQ31 | DIODES |
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暂无描述 |
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| BFQ31A | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
|
| BFQ31AR | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
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