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BDX14

更新时间： 2024-09-09 22:27:27

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描述
PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL BASE

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BDX14 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz
Base Number Matches：	1

BDX14 数据手册

BDX14AA

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

PNP

SILICON TRANSISTOR,

EPITAXIAL BASE

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

max.

3.61 (0.142)

3.86 (0.145)

rad.

FEATURES:

• LF Large Signal Power Amplification

• Medium Current Switching

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO66 Package.

Pin 1 – Base

Pin 2 – Emitter

Case - Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

V_CBO

V_CEO

V_CER

V_CEX

V_EBO

I_C

Collector – Base Voltage (Open Emitter)

- 90V

- 55V

Collector – Emitter Voltage (Open Base)

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

=100

- 60V

= +1.5V

- 90V

-7V

-4V

I_B

Base Current

-2V

P_tot

Power Dissipation

29W

T_J

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature

200°C

–65 to 200°C

6°C / W

T_STG

R_th-(j-c)

Junction to Case.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 02/00

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