是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.09 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 15 A | 集电极-发射极最大电压: | 70 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 0.8 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BDX18_12 | COMSET |
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PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE | |
BDX18A | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BDX18N | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BDX18N | COMSET |
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PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE | |
BDX20 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BDX20 | COMSET |
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PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE | |
BDX20 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor | |
BDX20_12 | COMSET |
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SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE | |
BDX25/66-6 | ETC |
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NPN | |
BDX27 | INFINEON |
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PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |