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BDX20

更新时间： 2024-09-14 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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BDX20 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BDX20 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BDX20

DESCRIPTION

·High Current Capability

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -140V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for LF large signal power amplification.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-160

-140

-7

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage- V_BE= 1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-10

I_B

-7

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

117

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

200

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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