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BDX20

更新时间： 2024-09-14 06:41:59

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COMSET		晶体晶体管
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2页	133K
描述
PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

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BDX20 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	117 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz	Base Number Matches：	1

BDX20 数据手册

BDX20

PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

LF Large Signal Power Amplification

High Current Fast Switching

Thermal Fatigue Inspection

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

-60

Unit

Collector to Base Voltage

#Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_CEX

V_EBO

I_C

-140

-160

-7

V_BE=1.5 V

Collector Current – Continuous

Base Current – Continuous

Total Device Dissipation

Junction Temperature

-10

I_B

-7

P_TOT

T_J

117

200

Watts

°C

-65 to

Storage Temperature

T_S

°C

+200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

1.5

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

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