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BDX14

更新时间： 2024-09-14 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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2页	275K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BDX14 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BDX14 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BDX14

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= -4A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -55V(Min.)

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-90

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-55

-7

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

-4

I_B

-2

P_C

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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