Datasheet > BDW54B-S

BDW54B-S

更新时间： 2024-11-01 21:13:31

品牌	Logo	应用领域
伯恩斯 - BOURNS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	102K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-220, FM-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDW54B-S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BDW54B-S 数据手册

BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C, BDW54D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

●

Designed for Complementary Use with

BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C and

BDW53D

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

40 W at 25°C Case Temperature

4 A Continuous Collector Current

Minimum h of 750 at 3V, 1.5 A

This series is obsolete and

not recommended for new designs.

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BDW54

-45

BDW54A

BDW54B

BDW54C

BDW54D

BDW54

-60

Collector-base voltage (I_E= 0)

V_CBO

-80

-100

-120

-45

BDW54A

BDW54B

BDW54C

BDW54D

-60

Collector-emitter voltage (I_B= 0) (see Note 1)

V_CEO

-80

-100

-120

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

-5

Continuous collector current

-4

Continuous base current

I_B

-50

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

Operating junction temperature range

P_tot

½LI_C

°C

T_j

T_stg

T_A

-65 to +150

Operating temperature range

Operating free-air temperature range

NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.32 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= -5 mA, R_BE= 100 Ω,

V_BE(off)= 0, R_S= 0.1 Ω, V_CC= -20 V.

AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BDW54B-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDW54C	POINN	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW54C	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW54C-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDW54D	POINN	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW54D	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW54-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BDW55	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDW56	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors
BDW57	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
BDW58	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistors

与BDW54B-S相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BDW54B-S

BDW54B-S 技术参数

BDW54B-S 数据手册

与BDW54B-S相关器件

与BDW54B-S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BDW54B-S

BDW54B-S 技术参数

BDW54B-S 数据手册

与BDW54B-S相关器件

与BDW54B-S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？