BDW63C

更新时间： 2024-11-01 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2页	240K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDW63C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

BDW63C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDW63/A/B/C/D

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 6A

·High DC Current Gain-h_FE= 750(Min.)@ I_C= 2A

·Complement to Type BDW64/A/B/C/D

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDW63

BDW63A

BDW63B

BDW63C

BDW63D

BDW63

Collector-Base

Voltage

V_CBO

100

120

BDW63A

BDW63B

BDW63C

BDW63D

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.1

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

2.08

62.5

UNIT

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

R_{th j-c}

Rth j-c

isc Website：www.iscsemi.cn

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