BDW73

更新时间： 2024-02-21 14:40:12

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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2页	240K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDW73 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDW73 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDW73/A/B/C/D

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 8A

·High DC Current Gain-h_FE= 750(Min.)@ I_C= 3A

·Complement to Type BDW74/A/B/C/D

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDW73

BDW73A

BDW73B

BDW73C

BDW73D

BDW73

Collector-Base

Voltage

V_CBO

100

120

BDW73A

BDW73B

BDW73C

BDW73D

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.3

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

1.56

62.5

UNIT

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

R_{th j-c}

Rth j-c

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDW73A	POINN	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BDW73A	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDW73B	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDW73B	POINN	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BDW73C	POINN	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BDW73C	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDW73D	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
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