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BDW73A

更新时间： 2024-02-07 13:48:17
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POINN /
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW73A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.23外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW73A 数据手册

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BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C and  
BDW74D  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
80 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3 V, 3 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW73  
45  
BDW73A  
BDW73B  
BDW73C  
BDW73D  
BDW73  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
VCBO  
80  
V
100  
120  
45  
BDW73A  
BDW73B  
BDW73C  
BDW73D  
60  
Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1)  
VCEO  
80  
V
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
8
Continuous base current  
IB  
0.3  
80  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
2
½LIC  
75  
Tj  
Tstg  
TA  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating temperature range  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.64 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 W,  
VBE(off) = 0, RS = 0.1 W, VCC = 20 V.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
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