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BDW64A

更新时间： 2024-01-08 07:14:21

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6页	150K
描述
PNP SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW64A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BDW64A 数据手册

BDW64, BDW64A, BDW64B, BDW64C, BDW64D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997

●

Designed for Complementary Use with

BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C and

BDW63D

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

60 W at 25°C Case Temperature

6 A Continuous Collector Current

Minimum h of 750 at 3 V, 2 A

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BDW64

-45

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

BDW64

-60

Collector-base voltage (I_E= 0)

V_CBO

-80

-100

-120

-45

BDW64A

BDW64B

BDW64C

BDW64D

-60

Collector-emitter voltage (I_B= 0) (see Note 1)

V_CEO

-80

-100

-120

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

-5

Continuous collector current

-6

Continuous base current

I_B

-0.1

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

Operating junction temperature range

P_tot

°C

½LI_C

T_j

T_stg

T_A

-65 to +150

Operating temperature range

Operating free-air temperature range

NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.48 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= -5 mA, R_BE= 100 W,

V_BE(off)= 0, R_S= 0.1 W, V_CC= -20 V.

P R O D U C T

I N F O R M A T I O N

Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance

with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDW64B	ISC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDW64B	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW64B-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BDW64C	ISC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistor
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