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BDW61DS62Z

更新时间： 2024-11-01 20:03:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BDW61DS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	800 ns	最大开启时间（吨）：	150 ns
Base Number Matches：	1

BDW61DS62Z 数据手册

BCW61A/B/C/D

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Storage Temperature

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_STG

-32

-5.0

-100

350

°C

-55 ~ 150

· Refer to KS5086 for graphs

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Max

Unit

I_C= -2mA, I_B=0

I_E= -1mA, I_C=0

V_CB= -32V, V_BE=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

-32

-5

-20

DC Current Gain

h_FE

V_CE= -5V, I_C= -10mA

: BCW61B

: BCW61C

: BCW61D

: BCW61A

: BCW61B

: BCW61C

: BCW61D

: BCW61A

100

120

140

250

380

V_CE= -5V, I_C= -2mA

220

310

460

630

V_CE= -5V, I_C= -50mA

: BCW61B

: BCW61C

: BCW61D

100

I_C= -50mA, I_B= -1.25mA

I_C= -10mA, I_B= -0.25mA

I_C= -50mA, I_B= -1.25mA

I_C= -10mA, I_B= -0.25mA

V_CE= -5V, I_C= -2mA

V_CB= -10V, I_E=0

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

-0.55

-0.25

1.05

0.85

0.75

0.68

0.6

Base-Emitter Saturation Voltage

V_BE(on)

C_OB

Base-Emitter On Voltage

Output Capacitance

f=1MHz

I_C= -0.2mA, V_CE= -5V

R_G=20KW, f=1KHz

Noise Figure

I_C= -10mA, I_B1= -1mA

V_BB= -3.6V, I_B2= -1mA

R1=R2=50KW, R_L=990W

t_ON

t_OFF

Turn On Time

Turn Off Time

150

800

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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