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BDW53B

更新时间： 2024-09-09 03:21:39
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伯恩斯 - BOURNS /
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW53B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW53B 数据手册

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BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C and  
BDW54D  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
40 W at 25°C Case Temperature  
4 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 1.5 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW53  
45  
BDW53A  
BDW53B  
BDW53C  
BDW53D  
BDW53  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
VCBO  
80  
V
100  
120  
45  
BDW53A  
BDW53B  
BDW53C  
BDW53D  
60  
Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1)  
VCEO  
80  
V
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
4
Continuous base current  
IB  
50  
40  
mA  
W
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
2
W
2
½LIC  
25  
mJ  
°C  
°C  
°C  
Tj  
Tstg  
TA  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating temperature range  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.32 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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与BDW53B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW53B-S BOURNS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BDW53C BOURNS

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