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BDW54

更新时间： 2024-11-01 03:21:39
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 121K
描述
PNP SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW54 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.78
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BDW54 数据手册

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BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C, BDW54D  
PNP SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C and  
BDW53D  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
40 W at 25°C Case Temperature  
4 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 1.5 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW54  
-45  
BDW54A  
BDW54B  
BDW54C  
BDW54D  
BDW54  
-60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
VCBO  
-80  
V
-100  
-120  
-45  
BDW54A  
BDW54B  
BDW54C  
BDW54D  
-60  
Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1)  
VCEO  
-80  
V
-100  
-120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
-5  
V
A
Continuous collector current  
-4  
Continuous base current  
IB  
-50  
40  
mA  
W
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
2
W
2
½LIC  
25  
mJ  
°C  
°C  
°C  
Tj  
Tstg  
TA  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating temperature range  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.32 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = -20 V.  
V
AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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