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BD679

更新时间： 2024-02-10 19:22:26

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon NPN Darligton Power Transistors

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BD679 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2.8 V	Base Number Matches：	1

BD679 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darligton Power Transistors

BD675/BD677/BD679

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD676/678/680

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use as output devices in

complementary general–purpose

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD675

BD677

BD679

BD675

BD677

BD679

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter -base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-Peak

Base current

0.1

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

100

UNIT

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance from junction to ambient

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

3.12

12 3

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