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BD679A PDF预览

BD679A

更新时间： 2024-11-04 12:20:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 337K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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BD679A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
Base Number Matches：1

BD679A 数据手册

 浏览型号BD679A的Datasheet PDF文件第2页 
BD675 SERIES  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON  
POWER DARLINGTON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD675 Series  
types are NPN Silicon Darlington Power Transistors,  
available in the plastic TO-126 package, and are  
designed for audio and video output applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
BD675  
BD677  
BD679  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C) SYMBOL BD675A BD677A BD679A BD681  
BD683  
120  
UNITS  
V
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
45  
45  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
120  
V
V
5.0  
4.0  
100  
40  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
A
C
I
mA  
W
B
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
3.13  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=Rated V  
200  
µA  
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
CBO  
=Rated V  
, T =100°C  
2.0  
500  
2.0  
mA  
µA  
mA  
V
CBO  
C
=½Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =50mA (BD675, BD675A)  
45  
60  
CEO  
CEO  
C
I =50mA (BD677, BD677A)  
V
C
I =50mA (BD679, BD679A)  
80  
V
CEO  
C
I =50mA (BD681)  
100  
120  
V
CEO  
C
I =50mA (BD683)  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =1.5A, I =30mA (Non-A)  
2.5  
2.8  
2.5  
2.5  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =2.0A, I =40mA (A)  
V
C
B
V
=3.0V, I =1.5A (Non-A)  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=3.0V, I =2.0A (A)  
V
C
h
h
h
=3.0V, I =1.5A (Non-A)  
750  
750  
1.0  
C
=3.0V, I =2.0A (A)  
FE  
C
=3.0V, I =1.5A, f=1.0MHz  
fe  
C
R1 (14-June 2010)  
12

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与BD679A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD679AG ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BD679ALEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD679APBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BD679AS ROCHESTER

获取价格

 		4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD679AS ONSEMI

获取价格

 		Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG
BD679AS FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD679AS_NL FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD679ASTU FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD679ASTU ONSEMI

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 		中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD679G ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

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