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BD679A

更新时间： 2024-02-13 21:43:28
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons

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BD679A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
VCEsat-Max：2.8 VBase Number Matches：1

BD679A 数据手册

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by BD675/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-  
tions.  
•
High DC Current Gain —  
= 750 (Min) @ I = 1.5 and 2.0 Adc  
Monolithic Construction  
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A,  
678, 678A, 680, 680A, 682  
h
FE  
C
•
•
*Motorola Preferred Device  
•
BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803  
4.0 AMPERE  
DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
BD675  
BD677  
BD679  
BD675A BD677A BD679A  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
BD681  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
60, 80, 100 VOLTS  
40 WATTS  
V
CEO  
45  
45  
60  
60  
80  
80  
V
100  
CB  
EB  
V
5.0  
4.0  
0.1  
I
C
Base Current  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
@T = 25 C  
40  
0.32  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction T , T  
stg  
–55 to +150  
C
J
Temperating Range  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.13  
C/W  
JC  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5.0  
0
15  
30  
45  
60  
75  
90  
105 120 135 150  
C)  
165  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Temperature Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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与BD679A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD679AG ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BD679ALEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD679APBFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor,
BD679AS ROCHESTER

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 		4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
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BD679G ONSEMI

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