5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 0.74 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 179150 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | SOT-32 (TO-126) |
| Samacsys Released Date： | 2015-11-03 12:30:39 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD679 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| MJE802G | ONSEMI |
功能相似 |
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
|
| 2N6039G | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD679AG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons |
|
| BD679ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD679APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD679AS | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
|
| BD679AS | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG |
|
| BD679AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679AS_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD679ASTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679ASTU | ONSEMI |
获取价格 |
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
|
| BD679G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
