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BAW56LT1

更新时间: 2024-09-15 06:41:31
品牌 Logo 应用领域
SSC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Switching Diode

BAW56LT1 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.225 W
最大重复峰值反向电压:70 V最大反向恢复时间:0.006 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAW56LT1 数据手册

 浏览型号BAW56LT1的Datasheet PDF文件第2页 
BAW56LT1  
Switching Diode  
FEATURES  
„
Power dissipation, PD: 225 mW (TA=25)  
„
„
„
Forward Current, IF: 200 mA  
Reverse Voltage, VR: 70 V  
Operating and storage junction temperature  
range: TJ, Tstg: -55to +150℃  
„
SOT-23 Plastic-Encapsulate package  
Device Making: A1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Note: Unless otherwise specified, these specifications apply over the operating ambient temperature of 25.  
01/14/2007 Rev. 1.00  
www.SiliconStandard.com  
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