是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 4 A |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
最大功率耗散: | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 70 V | 最大反向恢复时间: | 0.006 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAW56LT3G | ONSEMI |
完全替代 |
Dual Switching Diode Common Anode | |
BAW56LT1G | ONSEMI |
完全替代 |
Dual Switching Diode Common Anode | |
BAW56TT1G | ONSEMI |
完全替代 |
Dual Switching Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAW56LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode Common Anode | |
BAW56M | NXP |
获取价格 |
High-speed switching diodes | |
BAW56M | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction | |
BAW56M,315 | ETC |
获取价格 |
DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT883 | |
BAW56M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode Common Anode | |
BAW56-MR | ETC |
获取价格 |
DIODE BAW56 MINIREEL 500PCS | |
BAW56MT/R | NXP |
获取价格 |
RECTIFIER DIODES,COMMON ANODE,90V V(RRM),SOT-883 | |
BAW56N1PT | CHENMKO |
获取价格 |
SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.15 Ampere | |
BAW56N3 | CYSTEKEC |
获取价格 |
High -Speed double diode | |
BAW56PT | CHENMKO |
获取价格 |
SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.15 Ampere |