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BAW56S

更新时间： 2024-09-17 11:16:03

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安世 - NEXPERIA		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	208K
描述
High-speed switching diodeProduction

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BAW56S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-88, 6 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	配置：	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.35 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	90 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BAW56S 数据手册

BAW56S

High-speed switching diode

1 July 2022

Product data sheet

1. General description

High-speed switching diode, encapsulated in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low capacitance: C_d≤ 2 pF

Low leakage current

Reverse voltage: V_R≤ 90 V

Very small SMD plastic packages

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_R

reverse current

reverse voltage

V_R= 80 V; T_amb= 25 °C

0.5

µA

V_R

t_rr

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 1 mA; T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

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与BAW56S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAW56S,115	NXP	获取价格	BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin
BAW56S,135	NXP	获取价格	BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin
BAW56S/DG/B2,115	ETC	获取价格	DIODE ARRAY GP 90V 250MA SOT363
BAW56S/DG/B2,135	ETC	获取价格	DIODE ARRAY GP 90V 250MA SOT363
BAW56S/T1	ETC	获取价格	DIODE SOT-323
BAW56S/T3	NXP	获取价格	COMMON ANODE DIODE ARRAY,SOT-363
BAW56S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon,
BAW56S-E6327	INFINEON	获取价格	Diode,
BAW56S-E6433	INFINEON	获取价格	Diode,
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