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BAW56T

更新时间： 2024-11-09 06:41:31

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KEC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE

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BAW56T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAW56T 数据手册

SEMICONDUCTOR

BAW56T

SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Small Package

· Low Forward Voltage

: ESM.

MILLIMETERS

DIM

: V_F=0.92V (Typ.).

1.60 0.10

· Fast Reverse Recovery Time : t_rr=1.6ns(Typ.).

· Small Total Capacitance : C_T=2.2pF (Typ.).

0.85 0.10

0.70 0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_RM

V_R

RATING

UNIT

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. CATHODE 1

2. CATHODE 2

3. ANODE

I_F

Continuous Forward Current

Surge Current (10ms)

150

I_FSM

P_D

Power Dissipation

200 *

150

℃

T_j

Junction Temperature

ESM

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

Note : * Package Mounted On FR-5 Board (25.4×19.05×1.57mm)

Marking

H 1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_F=1mA

0.61

I_F=10mA

Forward Voltage

0.74

I_F=150mA

V_R=80V

1.25

0.5

4.0

Reverse Current

μA

C_T

V_R=0, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

t_rr

2009. 1. 23

Revision No : 1

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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