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BAW56T

更新时间: 2024-11-09 06:41:31
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE

BAW56T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.58Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAW56T 数据手册

 浏览型号BAW56T的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
BAW56T  
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.  
FEATURES  
E
B
· Small Package  
· Low Forward Voltage  
: ESM.  
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
: VF=0.92V (Typ.).  
+
1.60 0.10  
D
_
+
· Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(Typ.).  
· Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.).  
2
1
B
0.85 0.10  
_
+
0.70 0.10  
C
D
E
G
H
J
3
0.27+0.10/-0.05  
_
+
1.60 0.10  
_
+
1.00 0.10  
0.50  
_
0.13+0.05  
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
J
SYMBOL  
VRM  
VR  
RATING  
85  
UNIT  
V
Maximum (Peak) Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
3
1. CATHODE 1  
2. CATHODE 2  
3. ANODE  
80  
V
IF  
Continuous Forward Current  
Surge Current (10ms)  
150  
mA  
A
2
1
IFSM  
PD  
2
Power Dissipation  
200 *  
150  
mW  
Tj  
Junction Temperature  
ESM  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55150  
Note : * Package Mounted On FR-5 Board (25.4×19.05×1.57mm)  
Marking  
H 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VF(1)  
VF(2)  
VF(3)  
IR  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
-
UNIT  
V
IF=1mA  
-
-
-
-
-
-
0.61  
IF=10mA  
Forward Voltage  
0.74  
-
IF=150mA  
VR=80V  
-
-
-
-
1.25  
0.5  
4.0  
4.0  
Reverse Current  
μA  
pF  
ns  
CT  
VR=0, f=1MHz  
IF=10mA  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
trr  
2009. 1. 23  
Revision No : 1  
1/2  

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