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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAW56TT1G
BAW56TT1G PDF预览

BAW56TT1G

更新时间： 2024-11-19 03:06:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Dual Switching Diode

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BAW56TT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-75包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.6
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAW56TT1G 数据手册

 浏览型号BAW56TT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAW56TT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAW56TT1G的Datasheet PDF文件第4页 
BAW56TT1  
Preferred Device  
Dual Switching Diode  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
CATHODE  
1
Rating  
Symbol  
Max  
70  
Unit  
Vdc  
3
ANODE  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
2
CATHODE  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation,  
P
D
FR−4 Board (Note 1), T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
1
Derated above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
555  
°C/W  
θ
JA  
CASE 463  
SC−75/SOT−416  
STYLE 4  
Total Device Dissipation,  
P
D
FR−4 Board (Note 2), T = 25°C  
360  
2.9  
mW  
mW/°C  
A
Derated above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
θ
JA  
345  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
A1 M G  
G
1
2. FR−4 @ 1.0 × 1.0 Inch Pad  
A1 = Specific Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending upon  
manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAW56TT1  
SC−75/SOT−416 3000/Tape & Reel  
SC−75/SOT−416  
(Pb−Free)  
BAW56TT1G  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
BAW56TT1/D  
 
1234

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BAW56TT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAW56LT3 ONSEMI

完全替代

 Dual Switching Diode Common Anode
BAW56LT3G ONSEMI

类似代替

 Dual Switching Diode Common Anode
BAW56LT1G ONSEMI

类似代替

 Dual Switching Diode Common Anode

与BAW56TT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAW56T-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BAW56U INFINEON

获取价格

 		Silicon Switching Diode
BAW56U-E6327 INFINEON

获取价格

 		Diode,
BAW56UE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, SC-74, 6 PIN
BAW56U-E6433 INFINEON

获取价格

 		Diode,
BAW56UE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, SC-74, 6 PIN
BAW56V RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
BAW56-V VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode, Dual
BAW56-V_12 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode, Dual
BAW56-V-G VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diode, Dual

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