Datasheet > BAW56S,115

BAW56S,115

更新时间： 2024-11-19 14:41:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
15页	98K
描述
BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAW56S,115 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	3.13
配置：	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.715 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	90 V	最大反向电流：	150 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	反向测试电压：	80 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAW56S,115 数据手册

BAV756S; BAW56 series

High-speed switching diodes

Rev. 05 — 26 November 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number Package

NXP

Package

conﬁguration

Conﬁguration

JEITA

JEDEC

BAV756S

SOT363

SC-88

very small

quadruple common

anode/common cathode

BAW56

SOT23

TO-236AB small

dual common anode

BAW56M

SOT883

SC-101

leadless ultra

small

BAW56S

SOT363

SC-88

very small

quadruple common

anode/common anode

BAW56T

BAW56W

SOT416

SOT323

SC-75

SC-70

ultra small

very small

dual common anode

1.2 Features

I High switching speed: t_rr≤ 4 ns

I Low leakage current

I Low capacitance: C_d≤ 2 pF

I Reverse voltage: V_R≤ 90 V

I Small SMD plastic packages

1.3 Applications

I High-speed switching

I General-purpose switching

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Per diode

I_R

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse current

V_R= 80 V

0.5

µA

V_R

reverse voltage

[1]

t_rr

reverse recovery time

[1] When switched from I_F= 10 mA to I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 1 mA.

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

BAW56S,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAW56S,135	NXP	类似代替	BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin
BAW56W-7-F	DIODES	功能相似	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
BAT46AWFILM	STMICROELECTRONICS	功能相似	Small signal Schottky diodes

与BAW56S,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAW56S,135	NXP	获取价格	BAV756S; BAW56 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin
BAW56S/DG/B2,115	ETC	获取价格	DIODE ARRAY GP 90V 250MA SOT363
BAW56S/DG/B2,135	ETC	获取价格	DIODE ARRAY GP 90V 250MA SOT363
BAW56S/T1	ETC	获取价格	DIODE SOT-323
BAW56S/T3	NXP	获取价格	COMMON ANODE DIODE ARRAY,SOT-363
BAW56S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon,
BAW56S-E6327	INFINEON	获取价格	Diode,
BAW56S-E6433	INFINEON	获取价格	Diode,
BAW56SH6327	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
BAW56SH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-6

与BAW56S,115相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAW56S,115

BAW56S,115 技术参数

BAW56S,115 数据手册

BAW56S,115 替代型号

与BAW56S,115相关器件

与BAW56S,115相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAW56S,115

BAW56S,115 技术参数

BAW56S,115 数据手册

BAW56S,115 替代型号

与BAW56S,115相关器件

与BAW56S,115相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？