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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV199LT1D
BAV199LT1D PDF预览

BAV199LT1D

更新时间： 2024-01-21 13:35:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 110K
描述
Dual Series Switching Diode

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BAV199LT1D 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-346包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.73
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：224445Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-07-23 09:50:43
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-236AAJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.215 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：3 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAV199LT1D 数据手册

 浏览型号BAV199LT1D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199LT1D的Datasheet PDF文件第3页 
BAV199LT1G  
Dual Series Switching  
Diode  
Features  
• Low Leakage Current Applications  
• Medium Speed Switching Times  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
ANODE  
CATHODE  
2
1
3
MAXIMUM RATINGS  
CATHODE/ANODE  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
3
I
215  
500  
70  
mAdc  
mAdc  
Vdc  
F
1
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
2
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
CASE 318  
SOT−23  
STYLE 11  
Average Rectified Forward Current  
(Note 1)  
(Averaged Over Any 20 ms Period)  
I
715  
mAdc  
F(AV)  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mAdc  
Adc  
FRM  
MARKING DIAGRAM  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
2.0  
1.0  
0.5  
JY M G  
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
JY = Specific Device Code  
Total Device Dissipation  
P
D
M
= Date Code*  
FR−5 Board (Note 1), T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Total Device Dissipation  
P
D
Alumina Substrate (Note 2), T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
T , T  
J
−65 to +150  
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
BAV199LT1G  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 6  
BAV199LT1/D  
 
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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