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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV199T-7-F
BAV199T-7-F PDF预览

BAV199T-7-F

更新时间： 2024-02-23 04:35:05
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

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BAV199T-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.83
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：267852Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-523 height 0.9Samacsys Released Date：2020-05-22 10:18:50
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAV199T-7-F 数据手册

 浏览型号BAV199T-7-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199T-7-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BAS116T BAW156T BAV170T BAV199T  
BAS116T, BAW156T,  
Lead-free  
BAV170T, BAV199T  
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE  
Features  
·
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
SOT-523  
A
Very Low Leakage Current  
Dim Min Max Typ  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
C
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
C
B
TOP VIEW  
E
B
Mechanical Data  
·
¾
¾
0.50  
G
Case: SOT-523  
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
H
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
J
M
N
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
L
D
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
M
N
a
·
·
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
Marking: See Diagrams Below & Page 3  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
0°  
8°  
¾
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Page 3  
BAV199T Marking: 52  
BAW156T Marking: 53  
BAV170T Marking: 51  
BAS116T Marking: 50  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
85  
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
60  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Single Diode  
Double Diode  
215  
125  
IFM  
mA  
mA  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current  
500  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
1.0  
0.5  
IFSM  
A
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at  
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30258 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
BAS116T, BAW156T, BAV170T, BAV199T  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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