是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.09 |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.16 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向恢复时间: | 3 µs |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV199T/R | NXP |
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DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal | |
BAV199-T1 | WTE |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAV199T-13 | DIODES |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAV199-T1-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAV199T-7 | DIODES |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199T-7-F | DIODES |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAV199-TP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK | |
BAV199TQ | DIODES |
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SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199UM | ROHM |
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BAV199UM是低IR的开关二极管。适合一般开关用途。 |