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BAV199W

更新时间: 2024-11-21 14:56:03
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强茂 - PANJIT /
页数 文件大小 规格书
5页 253K
描述
SOT-323

BAV199W 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.73Is Samacsys:N
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.9 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.2 W
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:3 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAV199W 数据手册

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BAV170W/BAV199W  
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE  
POWER  
200mWatt  
100 Volt  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Suface mount package ideally suited for automatic insertion.  
• Very low leakage current. 2pA typical at VR=75V.  
• Low capacitance. 4pF max at VR=0V, f=1MHz  
• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  
• Green molding compound as per IEC 61249 standard  
MECHANICAL DATA  
• Case : SOT-323 plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Approx weight : 0.00018 ounces, 0.005 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
BAV170W  
P3  
BAV199W  
PB  
Unit  
Marking code  
-
-
V
Reverse voltage  
VR  
75  
100  
0.2  
4
Peak reverse voltage  
Continuous forward current  
VRM  
IF  
V
A
Non-repetitive peak forward surge current at t=1s  
IFSM  
PTOT  
RθJA  
TJ  
A
Power dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
oC/W  
oC  
oC  
Thermal resistance, junction to ambient (Note 1)  
Junction temperature range  
-55 to +150  
-55 to +150  
Storage temperature range  
TSTG  
Common  
Circuit figure  
-
Series  
-
Cathode  
COMMON CATHODE  
SERIES  
3
3
1
2
2
1
NOTE :  
1. FR-4 Board = 70 x 60 x 1mm.  
FIG.16(TOP VIEW)  
FIG.17(TOP VIEW)  
October 6,2017-REV.01  
PAGE . 1  

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