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BAV199-TP

更新时间: 2024-11-11 12:58:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 168K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BAV199-TP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:0.84配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最大输出电流:0.215 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

BAV199-TP 数据手册

 浏览型号BAV199-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BAV199  
Features  
·
·
x
Low Current Leakage  
Forward Current:IF=215mA.  
Small Outline Surface Mount Package  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Marking:JY  
Dual Series  
Switching Diode  
·
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
SOT-23  
A
D
B
C
Maximum Ratings  
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C  
Storage Temperature Range: -55°C to +150°C  
F
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
Reverse Breakdown Voltage  
(IR=100IA)  
V(BR)R  
70  
---  
---  
V
Forward Voltage  
IF=1.0mA  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
0.90  
DIMENSIONS  
MM  
VF  
IF=10mA  
IF=50mA  
IF=150mA  
V
1.00  
1.10  
1.25  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
leakage current  
(VR=75V)  
IR  
---  
---  
5.0  
nA  
Junction Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
F
Cj  
trr  
---  
---  
---  
---  
2.0  
3.0  
pF  
us  
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
.085  
.37  
Reverse recovery time  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  

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SIGNAL DIODE,