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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV199LT1
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BAV199LT1

更新时间： 2024-11-23 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
Dual Series Switching Diode

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BAV199LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.44
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.25 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAV199LT1 数据手册

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by BAV199LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
This switching diode has the following features:  
•
•
•
Low Leakage Current Applications  
Medium Speed Switching Times  
Available in 8 mm Tape and Reel  
Use BAV199LT1 to order the 7 inch/3,000 unit reel  
Use BAV199LT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel  
3
1
2
ANODE  
1
CATHODE  
2
CASE 318–08, STYLE 11  
SOT–23 (TO–236AB)  
3
CATHODE/ANODE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
V
R
70  
Forward Current  
I
215  
500  
70  
mAdc  
mAdc  
Vdc  
F
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
I
FM(surge)  
V
RRM  
(1)  
Average Rectified Forward Current (averaged over any 20 ms period)  
Repetitive Peak Forward Current  
I
715  
450  
mAdc  
mAdc  
Adc  
F(AV)  
I
FRM  
Non–Repetitive Peak Forward Current t = 1.0 µs  
I
2.0  
1.0  
0.5  
FSM  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 A  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
Derate above 25°C  
T
A
= 25°C  
P
D
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
300  
°C/W  
JA  
D
P
mW  
(2)  
Alumina Substrate  
Derate above 25°C  
T
A
= 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
JA  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
DEVICE MARKING  
BAV199LT1 = JY  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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BAV199LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV199LT1G ONSEMI

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