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BAV199T

更新时间： 2024-01-18 18:59:32

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2页	91K
描述
Ultra-Small Surface Mount Package Very Low Leakage Current

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BAV199T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV199T 数据手册

Product specification

BAV170T; BAV199T

SOT-523

+0.1

1.6

-0.1

Unit: mm

+0.1

1.0

-0.1

+0.05

0.2

-0.05

+0.01

0.1

-0.01

Features

Ultra-Small Surface Mount Package

Very Low Leakage Current

+0.25

0.3

-0.05

+0.1

0.5

-0.1

1. Base

2. Emitter

3. Collecter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

V^RRM

V^RWM

V^R

Conditions

Value

Unit

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

Single Diode

Double Diode

215

125

500

Forward Continuous Current (Note 1)

Repetitive Peak Forward Current

I^FM

I^FRM

@ t = 1.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

I^FSM

@ t = 1.0 ms

@ t = 1.0 s

0.5

150

833

Power Dissipation (Note 1)

P^D

Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

Note

R^èJA

T^j, T^STG

-65 to + 150

1.Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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与BAV199T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BAV199-T	MCC	Rectifier Diode	获取价格
BAV199-T	NXP	DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal	获取价格
BAV199T/R	NXP	DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal	获取价格
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