5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 90 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS31-D87Z | ONSEMI |
获取价格 |
高压通用型二极管 |
|
| BAS31L99Z | TI |
获取价格 |
0.2A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
|
| BAS31S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon |
|
| BAS31-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| BAS31T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| BAS31T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 0.25A, 90V V(RRM) |
|
| BAS31TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
|
| BAS31TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
|
| BAS321 | NXP |
获取价格 |
General purpose diode |
|
| BAS321 | NEXPERIA |
获取价格 |
General purpose diodeProduction |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
