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ASZM016120NK

更新时间： 2024-10-15 18:07:11

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安邦 - ANBON		/
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T2PAK

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ASZM016120NK 数据手册

ASZM016120NK

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

I_D@25℃

R_DS(on)TYP

20mΩ@15V

16mΩ@18V

15mΩ@20V

1200V

101A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch mode power supplies

Renewable energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor drives

High voltage DC/DC converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM016120NK

XXXXXX

AS2M030065T

XXXXXX

T2PAK

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

Test Condition

V_GS= 0V, I_D= 100µA

Value

1200

Unit

V_GSmax

AC (f>1 Hz)

Static

-10/+25

-4/+15

-4/+18

Recommend Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_GSop

I_D

V_GS= 15V, T_C=25℃

V_GS= 18V, T_C=25℃

V_GS= 15V, T_C=100℃

V_GS= 18V, T_C=100℃

101

I_D

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

232

494

I_{DM (pluse)}

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

428

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction Temperature

Storage Temperature

Junction-to-Case

0.35

-55~ +175

℃

T_STG

Document ID

Issued Date

2018/03/08

Revised Date

2024/01/18

Revision

Page.

AS-3270067

Page 1

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