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ASZM025065D88

更新时间： 2024-09-24 18:07:11

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DFN8*8

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ASZM025065D88 数据手册

ASZM025065D88

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

I_D@25℃

R_DS(on)TYP

26mΩ@18V

23mΩ@20V

650V

153A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM025065D88

XXXXXX

DFN8*8

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Test Condition

V_GS= 0V, I_D= 100μA

Value

650

Unit

V_GSmax

V_GSOP

I_D

AC (f > 1 Hz)

Static

-10/+25

-4/+18

153

V_GS= 18V, T_C=25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_GS= 18V, T_C=100℃

I_D

108

196

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1ms

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100µs

I_D,pulse

357

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

714

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction Temperature

Storage Temperature

Junction-to-Case

0.21

-55~ +175

℃

T_STG

Document ID

AS-3270065

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/01/12

Revision

Page.

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