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ASZM060065P

更新时间： 2024-09-24 18:07:07

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安邦 - ANBON		/
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TO-247-3

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ASZM060065P 数据手册

ASZM060065P

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)TYP

650V

55mΩ@18V

54A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitance with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr）

Motor drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM060065P

XXXXXX

TO-247-3

Absolute maximum ratings (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS=0V, I_D= 100µA

Value

650

Unit

AC (f >1Hz)

-10/+25

-4/+18

Static

V_GS=18V,T_C=25℃

V_GS=18V,T_C=100℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_D

Pulse width t_plimited by T_jmaxat 1ms

Pulse width t_plimited by T_jmaxat 100µs

231

I_D,pulse

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

203

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction Temperature

Storage Temperature

Junction-to-Case

0.74

-55 ~ +175

℃

T_STG

Document ID

Issued Date

2020/03/08

Revised Date

2024/02/29

Revision

Page.

Page 1

AS-3270084

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