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ASZM060065N

更新时间： 2024-09-24 18:07:07

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安邦 - ANBON		/
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TO-263-7

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ASZM060065N 数据手册

ASZM060065N

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)TYP

650V

55mΩ@18V

48A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM060065N

XXXXXX

TO-263-7

Absolute maximum ratings (T_c=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS= 0V, I_D=100µA

Value

650

Unit

AC (f > 1 Hz)

Static

-10/+25

-4/+18

V_GS=18V, T_C=25℃

V_GS=18V, T_C=100℃

Continuous Drain Current

I_D

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

I_D,pulse

P_D

Pulse with t_plimited by T_jmax

T_C=25℃

163

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction Temperature

Storage Temperature

R_θJC

T_J

Junction-to-Case

0.92

-55 ~ +175

T_STG

Document ID

AS-3270089

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/02/27

Revision

Page.

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