Datasheet > ASZM060065T

ASZM060065T

更新时间： 2024-11-12 18:07:03

品牌	Logo	应用领域
安邦 - ANBON		/
页数	文件大小	规格书
7页	1901K
描述
TO-247-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ASZM060065T 数据手册

ASZM060065T

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)TYP

650V

55mΩ@18V

54A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM060065T

XXXXXX

S2 S1 G

TO-247-4

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Test Condition

V_GS= 0V, I_D= 100μA

Value

650

Unit

V_GSmax

V_GSOP

I_D

AC (f > 1 Hz)

-10/+25

-4/+18

Static

V_GS= 18V, T_C=25℃

V_GS= 18V, T_C=100℃

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_D

231

I_D,pulse

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

203

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction-to-Case

0.74

Junction Temperature

Storage Temperature

-55~ +175

℃

T_STG

Document ID

AS-3270082

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/02/26

Revision

Page.

Page 1

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与ASZM060065T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ASZM080120N	ANBON	获取价格	TO-263-7
ASZM080120P	ANBON	获取价格	TO-247-3
ASZM080120T	ANBON	获取价格	TO-247-4
ASZM090065N	ANBON	获取价格	TO-263-7
ASZM090065P	ANBON	获取价格	TO-247-3
ASZM160120N	ANBON	获取价格	TO-263-7
ASZM160120P	ANBON	获取价格	TO-247-3
ASZM1R0170N	ANBON	获取价格	TO-263-7
ASZM1R0170P	ANBON	获取价格	TO-247-3
ASZT	ABRACON	获取价格	HIGH FREQUENCY, WITH OR WITHOUT BUILT-IN CAPACITORS SURFACE MOUNT CERAMIC RESONATORS