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ASZM080120N

更新时间： 2024-10-15 18:07:11

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安邦 - ANBON		/
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TO-263-7

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ASZM080120N 数据手册

ASZM080120N

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

I_D@25℃

R_DS(on)TYP

75mΩ@18V

68mΩ@20V

1200V

34A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM080120N

XXXXXX

TO-263-7

Absolute maximum ratings (T_c=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS= 0V, I_D=100µA

Value

1200

Unit

AC (f > 1 Hz)

-10/+25

-5/+20

Static

V_GS=20V, T_C=25℃

V_GS=20V, T_C=100℃

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_D

170

I_D,pulse

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

242

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction Temperature

Storage Temperature

Junction-to-Case

0.62

-55 ~ +175

℃

T_STG

Document ID

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/02/27

Revision

Page.

Page 1

AS-3270090

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